8月21日消息,SK海力士宣布成功开发面向AI行业的超高性能DRAM新产品HBM3E,这是目前可用于AI应用的下一代最高规格DRAM。据悉,SK海力士计划在明年上半年开始量产HBM3E,现已提供给NVIDIA和其他客户进行性能评估。

SK海力士透露,该产品可每秒处理1.15TB的数据,相当于能在1秒内处理230部5GB大小的全高清级电影。

此外,通过在最新产品上采用先进质量回流模塑底部填充(MR-MUF)的尖端技术,该产品的散热性能提高了10%。它还提供向后兼容性,甚至可以在为 HBM3 准备的系统上采用最新产品,而无需修改设计或结构。


(资料图片仅供参考)

(注:MR-MUF:将半导体芯片堆叠后,为了保护芯片和芯片之间的电路,在其空间中注入液体形态的保护材料,并进行固化的封装工艺技术。与每堆叠一个芯片时铺上薄膜型材料的方式相较,工艺效率更高,散热方面也更加有效。

向后兼容性(Backward compatibility):指在配置为与旧版产品可兼容的IT/计算系统内,无需另行修改或变更即可直接使用新产品。例如,对CPU或GPU企业,如果半导体存储器新产品具有向后兼容性,则无需进行基于新产品的设计变更等,具有可直接使用现有CPU/GPU的优点。)

早在今年六月,SK海力士已经收到了NVIDIA的请求,要求对其下一代HBM3e DRAM进行采样,当NVIDIA成为现实时,它成为现实。宣布其 GH200 GPU 具有增强的 HBM3e DRAM,每个芯片提供高达 5 TB/s 的带宽。

该公司表示,凭借其作为业界最大HBM产品供应商的经验和量产准备水平,SK海力士计划在明年上半年量产HBM3E,并巩固其在AI内存市场无与伦比的领导地位。

据该公司称,最新产品不仅符合业界最高的速度标准,AI内存产品的关键规格,而且所有类别都包括容量,散热和用户友好性。

此外,通过在最新产品上采用先进质量回流模塑底部填充(MR-MUF)的尖端技术,该产品的散热性能提高了10%。它还提供向后兼容性,甚至可以在为 HBM3 准备的系统上采用最新产品,而无需修改设计或结构。

AI模型正在重塑千行百业,包括与之密切相关的计算能力产业链。如今,AI模型的快速发展对存储行业提出了新的要求。随着大型模型的出现,海量的数据需要更强的存储性能来支持高效的数据访问和处理,以释放计算能力。因此,存储行业正在升级和改变,涌现出一些新的概念和技术,如高带宽存储(HBM)等。

高带宽存储(HBM)是一种新型的内存技术,通过将DRAM堆叠在芯片上,提供了更大的带宽和更低的能耗。HBM可以满足大型模型对高速数据传输的需求,提供了更好的数据处理能力。

高性能的存储产品如HBM3E对于大型AI模型的数据处理需求至关重要,它能够满足海量数据的高速读写和处理要求,从而充分释放计算能力。

通过持续的技术创新和新产品的开发,存储行业积极应对AI模型对数据存储和处理的要求。这将进一步推动AI技术的发展,为各行各业的数字化转型和创新提供更强大的支持。

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